Այս օրերին Samsung-ը պատրաստվում է սկսել գերարագ UFS 2.0 NAND Flash հիշողության արտադրությունը, որը նախատեսում է օգտագործել իր ապագա առաջատար Samsung-ում։ Galaxy S6. Մինչ այժմ օգտագործվում էր eMMC NAND Flash հիշողության տեխնոլոգիան, որը կարողացավ հասնել 400 ՄԲ/վրկ փոխանցման արագության։ Սակայն երկրորդ սերնդի UFS նոր տեխնոլոգիայի շնորհիվ հիշողությունը կլինի հեռախոսներում Galaxy S6-ը կարող է հասնել մինչև 1.2 ԳԲ/վրկ փոխանցման արագություն, այսինքն՝ երեք անգամ ավելի բարձր արագություն:
Սա, իհարկե, կարտացոլվի մեծ ֆայլերի փոխանցման մեջ, ինչպիսին է 4K տեսանյութերի փոխանցումը LTE-A կապի միջոցով: Բացի այդ, eMMC 5.0-ի համեմատ, տեխնոլոգիան առաջարկում է մինչև 50%-ով ցածր սպառում, ինչը դրական է ազդում նոր հեռախոսի մարտկոցի աշխատանքի վրա։ Samsung-ը նույնպես նախատեսում է օգտագործել տեխնոլոգիան իր SD և microSD քարտերում և, ըստ երևույթին, արդեն քրտնաջան աշխատում է դրա վրա: Samsung-ի չինացի գլխավոր մրցակիցը՝ Xiaomi-ն, նույնպես նախատեսում է օգտագործել UFS Flash հիշողությունը, և, ինչպես երևում է, դրանով հետաքրքրություն կցուցաբերեն նաև Toshima-ն, Hynix-ը և Micron-ը։ Բացի այդ, UFS տեխնոլոգիայի շնորհիվ Samsung-ը ստիպված կլինի օգտագործել microUSB 3.0 պորտը, եթե ցանկանում է օգտագործել փոխանցման արագությունը՝ ֆայլերը համակարգչից բջջային հեռախոս փոխանցելիս և հակառակը։
var sklikData = {elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = {elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Աղբյուր. ETNews- ը
