Երբ նշվում է «սմարթֆոնի ապարատային տեխնիկական բնութագրեր» բառը, մեզանից շատերի առաջին բանը, որ գալիս է մտքում, այնպիսի բաղադրիչներ են, ինչպիսիք են պրոցեսորը, օպերատիվ հիշողությունը կամ, հնարավոր է, էկրանը և դրա լուծումը: Այնուամենայնիվ, հաճախ անտեսվում է սարքի մի շատ կարևոր հատված, այն է՝ ֆլեշ հիշողությունը (պահեստավորումը) և դրա արագությունը, որը սովորաբար ընդհանրապես չի նշվում էլեկտրոնային խանութների առաջարկներում։ Այնուամենայնիվ, գրելու արագությունը և, իհարկե, ընթերցման արագությունը շատ կարևոր ասպեկտներ են, որոնք մեծ ազդեցություն ունեն ամբողջ հեռախոսի արագության վրա: Բայց, ինչպես երևում է, այս ոլորտում մեզ հստակ վաղվա օրեր են սպասվում, քանի որ Samsung-ը ներկայացրել է գերարագ eMMC 5.1 հիշողություններ:
Այնուհետև հարավկորեացին ցուցադրեց NAND տեխնոլոգիան, որն օգտագործվում է 64 ԳԲ հիշողության մոդելների վրա, որոնք կարող են տվյալներ կարդալ մինչև 250 ՄԲ/վ արագությամբ, գրել դրանք 125 ՄԲ/վ արագությամբ, որոնք, ըստ Samsung-ի, ունեն 11 (կամ 000) IOPS (ներածում): / ելքային գործողություններ վայրկյանում): Ընկերության տվյալներով, eMMC 13-ը նաև 000/5.1 անգամ ավելի արագ է, քան դասական microSD քարտը, և, ինչն ավելի վատ է, այն բերում է պրեմիում գործառույթ՝ մի քանի հրամանների հերթագրման տեսքով, որը զուգահեռաբար գնում է ավելի ու ավելի տարածված բազմաբնույթ առաջադրանքների հետ:
Այնուհետև ենթադրությունները պնդում են, որ նոր հիշողություններ կարող են հայտնվել արդեն սպասվածի վրա Galaxy S6-ը, որը կներկայացվի երկու շաբաթից Բարսելոնայում կայանալիք MWC 2015-ին, այս մասին ակնարկել է նաեւ Samsung-ը, քանի որ իր հայտարարության մեջ նշել է, որ ընկերությունն արդեն պատրաստվում է նոր ներկայացվող հիշողություններ թողարկելուն։ Այսպիսով, թե արդյոք ներս Galaxy S6 մենք վերջապես կգտնենք այս առաջադեմ տեխնոլոգիան, բայց մենք կիմանանք միայն մարտի 1-ին, երբ հարավկորեական հսկան վեցերորդ սերունդ Galaxy Շնորհանդեսով, իհարկե, չէր խանգարի, եթե eMMC 5.1-ն իսկապես հայտնվեր նոր դրոշակակիրում:
// < 
// < 
