Samsung-ը պաշտոնապես ներկայացրել է 8GB LPDDR5 DRAM չիպ սմարթֆոնների համար։ Ընկերության տվյալներով՝ սա առաջին 8 ԳԲ LPDDR5 չիպն է, որը պատրաստված է որպես պիտակավորված տեխնոլոգիայով 10 նմ դաս, որը կարող է լինել 10-ից 19 նմ-ի սահմաններում: Նախորդը, այսինքն՝ 8 ԳԲ LPDDR4 չիպը, արդեն արտադրվել է 2014 թվականին, ուստի ժամանակի հարց էր, երբ հարավկորեական հսկան հանդես կգա նորամուծությամբ:
Samsung-ը նշում է, որ LPDDR5-ը կիրառություն կգտնի հիմնականում 5G, ավտոմոբիլային և արհեստական ինտելեկտ օգտագործող շարժական սարքերի ոլորտներում։ 6 Մբիթ/վրկ փոխանցման արագությամբ՝ 400 ԳԲ LPDDR8 DRAM չիպը 5 անգամ ավելի արագ է, քան ներկայիս ֆլագմաններում օգտագործվող շարժական DRAM չիպերը: Galaxy S9-ն ունի LPDDR4X չիպ՝ 4 Մբիթ/վրկ տվյալների փոխանցման արագությամբ: LPDDR266-ը կարող է վայրկյանում ուղարկել 5 ԳԲ տվյալ, ինչը մոտավորապես 51,2 HD վիդեո ֆայլ է:
Samsung-ը կառաջարկի և՛ ամբողջական թողունակությամբ 1,1 Վ լարման տարբերակ, և՛ ավելի թույլ և տնտեսող 5 Մբ/վ 500 Վ լարման դեպքում: LPDDR1,05-ը նաև կառաջարկի խորը քնի ռեժիմ (Deep Երազ), ինչը մոտավորապես երկու անգամ կնվազեցնի ընթացիկ LPDDR4X DRAM-ների էներգիայի սպառումը: Samsung-ը պնդում է, որ նոր չիպով կարող է նվազեցնել էներգիայի սպառումը մինչև 30%-ով և այդպիսով երկարացնել սմարթֆոնների մարտկոցների կյանքը։
Հավանաբար չիպը դեռ u Galaxy Note9-ը չի հայտնվի, բայց հավանաբար այն կստանա հաջորդ տարի Galaxy S10:
